Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Навъи транзистор :
NPN - Pre-Biased
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс) :
100mA
Шиддат - Тақсими эмитентҳои коллекторӣ :
50V
Муқовимат - Пойгоҳи (R1) :
4.7 kOhms
Муқовимат - Пойгоҳи эмитент (R2) :
10 kOhms
DC ҷорӣ фоида (hFE) (Мин) @ Ic, Vce :
30 @ 5mA, 5V
Ҷойгиркунии Vce (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Ҷорӣ - Қатъи коллеҷ (Макс) :
100nA (ICBO)
Фосила - гузариш :
250MHz
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи / Парвандаи :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-92-3