Рақами Қисм :
SI7997DP-T1-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Навъи FET :
2 P-Channel (Dual)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
160nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
6200pF @ 15V
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
PowerPAK® SO-8 Dual
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PowerPAK® SO-8 Dual