Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
8.3A (Ta), 30A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
21nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1275pF @ 50V
Тақсимоти барқ (Макс) :
3.1W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-263AB
Бастаи / Парвандаи :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB