RS1DL RVG Нархгузорӣ (доллари ИМА) [1467002дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$0.02521
- Рақами Қисм:
- RS1DL RVG
- Истеҳсолкунанда:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Тавсифи муфассал:
- DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA. Rectifiers 150ns 0.8A 200V Fs Recov Rectifier
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Диодҳо - RF, Тиристорҳо - TRIACs, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Транзисторҳо - IGBTs - ягона and Модулҳои драйвери барқ ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation RS1DL RVG electronic components. RS1DL RVG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1DL RVG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RS1DL RVG Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
RS1DL RVG
Истеҳсолкунанда :
Taiwan Semiconductor Corporation
Тавсифи :
DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Standard
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
200V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
800mA
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1.3V @ 800mA
Суръат :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
150ns
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
5µA @ 200V
Иқтидори @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
DO-219AB
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
Sub SMA
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-55°C ~ 150°C
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
-
-
CMDD4448 BK
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode Sgl Switching Diode Sgl
-
BAT42W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM
-
S07G-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 400V 700MA DO219AB. Rectifiers 0.7 Amp 400 Volt 1.8uS
-
VS-1EFH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers Hypfst Rct 1A 200V
Қисмҳои гарм
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18