Рақами Қисм :
SSR1N60BTM_F080
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
900mA (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 Ohm @ 450mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
7.7nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
215pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
D-Pak
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63