Рақами Қисм :
SIA417DJ-T1-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
8V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
32nC @ 5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1600pF @ 4V
Тақсимоти барқ (Макс) :
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PowerPAK® SC-70-6 Single
Бастаи / Парвандаи :
PowerPAK® SC-70-6