Рақами Қисм :
STI100N10F7
Истеҳсолкунанда :
STMicroelectronics
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
80A
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
60nC @ 25V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Тақсимоти барқ (Макс) :
-
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
I2PAK (TO-262)
Бастаи / Парвандаи :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA