Рақами Қисм :
UPA2813T1L-E1-AT
Истеҳсолкунанда :
Renesas Electronics America
Тавсифи :
MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
27A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.2 mOhm @ 27A, 10V
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
80nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
3130pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.5W (Ta), 52W (Tc)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-HVSON (3x3.3)
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerVDFN