Infineon Technologies - IPB60R299CPAATMA1

KEY Part #: K6418357

IPB60R299CPAATMA1 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [60484дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.64645
  • 1,000 pcs$0.61419

Рақами Қисм:
IPB60R299CPAATMA1
Истеҳсолкунанда:
Infineon Technologies
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - IGBTs - ягона and Диодҳо - RF ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Infineon Technologies IPB60R299CPAATMA1 electronic components. IPB60R299CPAATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB60R299CPAATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB60R299CPAATMA1 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : IPB60R299CPAATMA1
Истеҳсолкунанда : Infineon Technologies
Тавсифи : MOSFET N-CH TO263-3
Серияхо : Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 299 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 440µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 100V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 96W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -40°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : PG-TO263-3
Бастаи / Парвандаи : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK40E10K3,S1X(S

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB.