Рақами Қисм :
IPB60R299CPAATMA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH TO263-3
Серияхо :
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
299 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 440µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
29nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 100V
Тақсимоти барқ (Макс) :
96W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-TO263-3
Бастаи / Парвандаи :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB