Рақами Қисм :
SISS08DN-T1-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CHAN 25 V POWERPAK 1212
Серияхо :
TrenchFET® Gen IV
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
25V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.23 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
82nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
3670pF @ 12.5V
Тақсимоти барқ (Макс) :
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PowerPAK® 1212-8S
Бастаи / Парвандаи :
PowerPAK® 1212-8S