Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Навъи FET :
2 N-Channel (Dual)
Хусусияти FET :
Logic Level Gate
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
38 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
3.8nC @ 5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
412pF @ 15V
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SOIC