Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET P-CH 150V 1A MLP
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
150V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
1A (Ta), 1.8A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
4nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
210pF @ 75V
Тақсимоти барқ (Макс) :
2.3W (Ta), 16W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-MLP (3.3x3.3)
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerWDFN