Рақами Қисм :
SI5418DU-T1-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.5 mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
30nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1350pF @ 15V
Тақсимоти барқ (Макс) :
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PowerPAK® ChipFet Single
Бастаи / Парвандаи :
PowerPAK® ChipFET™ Single