Рақами Қисм :
FQD12N20LTM-F085
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Серияхо :
Automotive, AEC-Q101, QFET®
Статуси Қисми :
Not For New Designs
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
200V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
9A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
21nC @ 5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1080pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
D-Pak
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63