Рақами Қисм :
IRFH8311TRPBF
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
32A (Ta), 169A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 100µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
66nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
4960pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
3.6W (Ta), 96W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PQFN (5x6)
Бастаи / Парвандаи :
8-TQFN Exposed Pad