Рақами Қисм :
SQ4425EY-T1_GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Серияхо :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
18A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
50nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
3630pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
6.8W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SOIC
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)