Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 100V POWER56
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
6A (Ta), 26A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
34 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
11nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
645pF @ 50V
Тақсимоти барқ (Макс) :
2.5W (Ta), 48W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-PQFN (5x6)
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerTDFN