Рақами Қисм :
RJK5012DPE-00#J3
Истеҳсолкунанда :
Renesas Electronics America
Тавсифи :
MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
500V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
620 mOhm @ 6A, 10V
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
29nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
100W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
4-LDPAK
Бастаи / Парвандаи :
SC-83