Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
60V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
2.5A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
18nC @ 5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
870pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.3W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Бастаи / Парвандаи :
4-DIP (0.300", 7.62mm)