Рақами Қисм :
TPW1R306PL,L1Q
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
60V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
260A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.29 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
91nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
8100pF @ 30V
Тақсимоти барқ (Макс) :
960mW (Ta), 170W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
175°C
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-DSOP Advance
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerVDFN