ON Semiconductor - FDD850N10L

KEY Part #: K6392686

FDD850N10L Нархгузорӣ (доллари ИМА) [235285дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.15720
  • 2,500 pcs$0.15076

Рақами Қисм:
FDD850N10L
Истеҳсолкунанда:
ON Semiconductor
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо and Транзисторҳо - IGBTs - ягона ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in ON Semiconductor FDD850N10L electronic components. FDD850N10L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD850N10L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD850N10L Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : FDD850N10L
Истеҳсолкунанда : ON Semiconductor
Тавсифи : MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3
Серияхо : PowerTrench®
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 15.7A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 28.9nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 1465pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 50W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : DPAK
Бастаи / Парвандаи : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед