Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 100V 5.5A TO-220F
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
5.5A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
350 mOhm @ 2.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
7.5nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
250pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
23W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-220F
Бастаи / Парвандаи :
TO-220-3 Full Pack