Рақами Қисм :
TPC8408,LQ(S
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP
Навъи FET :
N and P-Channel
Хусусияти FET :
Logic Level Gate
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
40V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
6.1A, 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 100µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
24nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
850pF @ 10V
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SOP