Рақами Қисм :
SQ2364EES-T1_GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CHAN 60V SOT-23
Серияхо :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
60V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
2A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
2.5nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
330pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
3W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SOT-23-3 (TO-236)
Бастаи / Парвандаи :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3