Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
Серияхо :
HEXFET®, StrongIRFET™
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
200V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.9V @ 50µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
23nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
790pF @ 50V
Тақсимоти барқ (Макс) :
80W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-220AB
Бастаи / Парвандаи :
TO-220-3