Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
200V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
5.7A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
690 mOhm @ 2.85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
25nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
770pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
I-PAK
Бастаи / Парвандаи :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA