Рақами Қисм :
STD11NM60N-1
Истеҳсолкунанда :
STMicroelectronics
Тавсифи :
MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
31nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
850pF @ 50V
Тақсимоти барқ (Макс) :
90W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
I-PAK
Бастаи / Парвандаи :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA