ON Semiconductor - FDC30N20DZ

KEY Part #: K6396075

FDC30N20DZ Нархгузорӣ (доллари ИМА) [518439дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.07170
  • 3,000 pcs$0.07134

Рақами Қисм:
FDC30N20DZ
Истеҳсолкунанда:
ON Semiconductor
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT23-6.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Модулҳои драйвери барқ, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Диодҳо - Zener - Ягона, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Транзисторҳо - JFETs, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға and Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in ON Semiconductor FDC30N20DZ electronic components. FDC30N20DZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC30N20DZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC30N20DZ Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : FDC30N20DZ
Истеҳсолкунанда : ON Semiconductor
Тавсифи : MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT23-6
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 4.6A (Ta)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 7.9nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 535pF @ 15V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 960mW (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : SuperSOT™-6
Бастаи / Парвандаи : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед