Рақами Қисм :
NTMS4700NR2G
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SOIC
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
8.6A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.2 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
24nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1600pF @ 24V
Тақсимоти барқ (Макс) :
860mW (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SOIC
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)