Рақами Қисм :
NTTFS4H07NTWG
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 25V 18.5A U8FL
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
25V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
18.5A (Ta), 66A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
12.4nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
771pF @ 12V
Тақсимоти барқ (Макс) :
2.64W (Ta), 33.8W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-WDFN (3.3x3.3)
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerWDFN