Рақами Қисм :
NTD4813NT4G
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 30V 7.6A DPAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
7.6A (Ta), 40A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
7.9nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
860pF @ 12V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DPAK
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63