Истеҳсолкунанда :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Тавсифи :
MOSFET N-CH 250V 8A TO251A
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
250V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
8A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
560 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.3V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
7.2nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
306pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
78W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-251A
Бастаи / Парвандаи :
TO-251-3 Stub Leads, IPak