Рақами Қисм :
IPW60R080P7XKSA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
37A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 590µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
51nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2180pF @ 400V
Тақсимоти барқ (Макс) :
129W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-TO247-3
Бастаи / Парвандаи :
TO-247-3