Рақами Қисм :
PSMN4R8-100BSEJ
Истеҳсолкунанда :
Nexperia USA Inc.
Тавсифи :
MOSFET N-CH 100V D2PAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
120A (Tj)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
278nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
14400pF @ 50V
Тақсимоти барқ (Макс) :
405W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
D2PAK
Бастаи / Парвандаи :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB