Рақами Қисм :
SIR880ADP-T1-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
80V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
60A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
72nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2289pF @ 40V
Тақсимоти барқ (Макс) :
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PowerPAK® SO-8
Бастаи / Парвандаи :
PowerPAK® SO-8