Vishay Siliconix - SIR880ADP-T1-GE3

KEY Part #: K6419233

SIR880ADP-T1-GE3 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [98339дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.39761
  • 3,000 pcs$0.37253

Рақами Қисм:
SIR880ADP-T1-GE3
Истеҳсолкунанда:
Vishay Siliconix
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Rectifiers Bridge, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Диодҳо - Zener - Ягона and Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Siliconix SIR880ADP-T1-GE3 electronic components. SIR880ADP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR880ADP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR880ADP-T1-GE3 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : SIR880ADP-T1-GE3
Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
Тавсифи : MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Серияхо : TrenchFET®
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 80V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 72nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 2289pF @ 40V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : PowerPAK® SO-8
Бастаи / Парвандаи : PowerPAK® SO-8

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед