Истеҳсолкунанда :
GeneSiC Semiconductor
Тавсифи :
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB
Навъи диод :
Single Phase
Шиддат - Пурсиши баландтарин (макс) :
1kV
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
1A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1.1V @ 1A
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
10µA @ 1000V
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи / Парвандаи :
4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DB