Рақами Қисм :
UPA2816T1S-E2-AT
Истеҳсолкунанда :
Renesas Electronics America
Тавсифи :
MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
17A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15.5 mOhm @ 17A, 10V
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
33.4nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1160pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.5W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-HWSON (3.3x3.3)
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerWDFN