Рақами Қисм :
ZXMP10A17E6TA
Истеҳсолкунанда :
Diodes Incorporated
Тавсифи :
MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
1.3A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
350 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
6.1nC @ 5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
424pF @ 50V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.1W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SOT-26
Бастаи / Парвандаи :
SOT-23-6