Рақами Қисм :
IXFT26N50Q TR
Тавсифи :
MOSFET N-CH 500V 26A TO268
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
500V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
26A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 4mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
95nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
3900pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
300W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-268 (IXFT)
Бастаи / Парвандаи :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA