Рақами Қисм :
STW50N65DM2AG
Истеҳсолкунанда :
STMicroelectronics
Тавсифи :
MOSFET N-CH 650V 28A
Серияхо :
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
650V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
28A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
87 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
70nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
3200pF @ 100V
Тақсимоти барқ (Макс) :
300W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-247
Бастаи / Парвандаи :
TO-247-3