Рақами Қисм :
DMN2100UDM-7
Истеҳсолкунанда :
Diodes Incorporated
Тавсифи :
MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
3.3A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
-
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
555pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SOT-26
Бастаи / Парвандаи :
SOT-23-6