Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
80V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
12.5A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 10µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
7nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
540pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
11.5W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
6-PQFN (2x2)
Бастаи / Парвандаи :
6-VDFN Exposed Pad