IXYS - IXTT1N100

KEY Part #: K6403993

[2165дона саҳҳомӣ]


    Рақами Қисм:
    IXTT1N100
    Истеҳсолкунанда:
    IXYS
    Тавсифи муфассал:
    MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268.
    Manufacturer's standard lead time:
    Дар фурӯш
    Муҳлати нигоҳдорӣ:
    Як сол
    Chip Аз:
    Гонконг
    RoHS:
    Намуди пардохт:
    Тарзи интиқол:
    Категорияҳои оила:
    KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Тиристорҳо - TRIACs, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға and Модулҳои драйвери барқ ...
    Афзалияти рақобатӣ:
    We specialize in IXYS IXTT1N100 electronic components. IXTT1N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTT1N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXTT1N100 Аттрибутҳои маҳсулот

    Рақами Қисм : IXTT1N100
    Истеҳсолкунанда : IXYS
    Тавсифи : MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268
    Серияхо : -
    Статуси Қисми : Obsolete
    Навъи FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 1000V
    Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 1.5A (Tc)
    Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 Ohm @ 1A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 25µA
    Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 23nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 480pF @ 25V
    Хусусияти FET : -
    Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 60W (Tc)
    Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Навъи монтаж : Surface Mount
    Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-268
    Бастаи / Парвандаи : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

    Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
    • ZVP0120ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3.

    • AUIRFR8401

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • 2SK3309(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

    • FQD3N50CTF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.

    • IRLR3715TRRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.

    • IXTY55N075T

      IXYS

      MOSFET N-CH 75V 55A TO-252.