Рақами Қисм :
TPCA8A04-H(TE12L,Q
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP ADV
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
44A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.2 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
59nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
5700pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
-
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SOP Advance (5x5)
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerVDFN