IXYS - IXFH7N100P

KEY Part #: K6395098

IXFH7N100P Нархгузорӣ (доллари ИМА) [14573дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$2.82783

Рақами Қисм:
IXFH7N100P
Истеҳсолкунанда:
IXYS
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Транзисторҳо - JFETs, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in IXYS IXFH7N100P electronic components. IXFH7N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH7N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH7N100P Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : IXFH7N100P
Истеҳсолкунанда : IXYS
Тавсифи : MOSFET N-CH
Серияхо : HiPerFET™, Polar™
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 1000V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 7A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 47nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 2590pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 300W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-247
Бастаи / Парвандаи : TO-247-3

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед