Рақами Қисм :
NTMFS6B05NT3G
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
16A (Ta), 104A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
44nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
3100pF @ 50V
Тақсимоти барқ (Макс) :
3.3W (Ta), 138W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerTDFN